泰克串行技術DDR 測試、驗證和調試

DDR 內存接口

內存技術繼續(xù)發(fā)展以滿足應用要求。新一代技術如 DDR4 和 LPDDR3 采用更高速率來提升性能、更低的 I/O 電壓來降低功耗，并支持多種外部形狀以滿足不同應用需求。

這些因素帶來調試和驗證挑戰(zhàn)，因為需要進行大量更加復雜的新測試來驗證和調試設備以更緊湊的裕量、更快的邊沿速率和復雜的總線協(xié)議工作。

泰克提供zui完整的全套工具進行內存驗證和調試。有關我們當前電氣和邏輯驗證解決方案的詳情，敬請訪問以下應用頁面：

• DDR 電氣驗證：
  捕捉、測量和鑒定 DDR 內存接口信號行為、抖動、眼圖大小、串擾、選通/時鐘對準、誤碼。

• DDR 邏輯驗證：
  捕獲和測量 DDR 內存接口的數(shù)字邏輯狀態(tài)，執(zhí)行總線周期的定時和協(xié)議分析。
  
   
  
  
• DDR 協(xié)議性能驗證：
  捕獲和分析總線命令、控制時基系列、將結果與內存接口規(guī)范比對，并分析作為總線利用率和性能指標的總線流量。