關鍵字：測試平臺  吉時利  半導體工藝 

我目前研究的課題是NBTI，目前在使用4200進行測試，請問使用使用4200zui快的測試時間可以到達多快？

A1：如果用4200做測試，它的zui快采樣周期應該是大于10個毫秒，如果用ACS加2600，我們可以做到zui快100個微妙的測試。

Q2：芯片越來越小，以后的晶片測試將如何完成？

A2：當芯片越來越小，對測試來說，會看到兩個趨勢，脈沖和快速的測試，脈沖主要是應對像SOI，High-K材料這樣新工藝，對于快速測試來說，我們可能要應對NBTI或者是行進間的擊穿這樣的現(xiàn)象。

Q3：請問有否關于Mosfet 的好的性能檢測方案？

A3：對于Mosfet來說，您可能需要一些手動參數(shù)的系統(tǒng)，吉時利4200是一個非常流行的好的解決方案，您可以通過4200配置若干個數(shù)字源表單元，就可以完成您的摩斯管的特定參數(shù)分析。

Q4：對于半導體器件壽命提前測試現(xiàn)今的主要手段是什么？

A4：目前zui可靠的手段是WLR，傳統(tǒng)的可靠性測試常常是在，把一個芯片分裝作成成產(chǎn)品之后再做測試，在這種情況下，如果您發(fā)現(xiàn)芯片有壽命問題，在整個過程中，您花費的成本是非常大，我們現(xiàn)在往往會把可靠性測試往前提，就是說把它提到在芯片制造過程中，就可以做一些可靠性測試，對于像Mosfet，現(xiàn)在有一些標準的測試項目，像講義中提到過的NBTI等，這些都是一些非常標準的WLR測試項目，然后可以通過對這些項目進行檢測，就可以對半導體的壽命進行提前預測。

Q5：stress 是由加的電流電壓的熱效應引起的嗎？

A5：在可靠性測試中所謂的stress指的是加電壓或者是電流的偏壓，在時間上維持一個周期。由于stress會引起器件的很多變化，以HCI為例子，stress會引起器件的特性參數(shù)漂移，造成器件的損傷，或者有stress引起的物理或者是化學的效應，熱效應其實不是一個zui主要的原因。

Q6：ACS 測試系統(tǒng)可以在高5度和低溫-30度的環(huán)境下測試嗎？測試數(shù)據(jù)準確度如何？

A6：我看到的測試系統(tǒng)，它能夠支持很高的溫度或者很低的溫度，通常情況下，我們會將我們的儀器置于溫度箱之外，就是說我們的測試器件，控制器，計算機都會放在外面，您可以把器件放在溫度箱里或者探針臺內(nèi)。

Q7：請問在測試精度為uA時，測試的zui少時間為多少？

A7：如果您要做一個微安測試，您可以在100微妙內(nèi)完成。

Q8：我目前是4200的用戶，我對PUISE非常感興趣，請問4200的PIVzui高能夠輸出多大電壓脈沖？

A8：吉時利的PIV可以為客戶做到zui高72伏的電壓脈沖輸出